Resumen

MORALES- SANCHEZ, E.; RIVERA- RODRIGUEZ, C.; PROKHOROV, E.  y  GONZALEZ HERNANDEZ, J.. Efecto del Oxigeno en la Cristalización de Películas Delgadas de GeSbTe. Superf. vacío [online]. 2010, vol.23, n.3, pp.6-9. ISSN 1665-3521.

En este trabajo se desarrolló un nuevo material para capa activa en Memorias Ópticas Reversibles (MOR), el cual permite grabar información utilizando tres o cuatro niveles de reflectividad en cada punto. Este nuevo material esta basado en Ge₁Sb₂Te₄ dopadas con oxigeno. La técnica de difracción de rayos X muestran que para películas con porcentajes de oxigeno de entre 2 y 8% at. de oxigeno presente en la muestra y cristalizadas a 110° C, la fase cristalina corresponde a la composición estequiometrica de Ge1Sb2Te4. Sin embargo para películas con una concentración de oxigeno mayor al 10% at., la fase cristalina corresponde a Sb₂Te₃. Se investigaron las propiedades ópticas (reflectancia) de películas de Ge₁Sb₂Te₄ dopadas con oxigeno, comprobando que la segregación de fase en películas con más del 10% de oxigeno, da como resultado un incremento en los tiempos de nucleación y en los tiempos de cristalización inducida por láser, permitiendo la posibilidad de tener un grabado multinivel es decir memorias ópticas con código ternario o cuaternario en lugar de las binarias que tradicionalmente se han utilizado.

Palabras llave : Memorias ópticas; Fase de transformación; Ge:Sb:Te-O.

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