Resumo

LIMA-LIMA, H. et al. Análisis de reacciones en la transición de CdS (semiconductor) a CdCO₃ (aislante) en formato de películas delgadas obtenidas mediante DBQ. Superf. vacío [online]. 2008, vol.21, n.2, pp.21-26. ISSN 1665-3521.

Mediante la Técnica de Depósito por Baño Químico, se obtienen películas delgadas sobre sustratos de vidrio portaobjetos en el intervalo de temperatura de 80°C - 20°C. Las soluciones utilizadas: CdCl₂ 0.02 M, KOH 1.5 M, NH₄NO₃ 0.5 M y SC(NH₂)₂ 0.2 M, se preparan a temperatura ambiente utilizando agua desionizada. El volumen de los reactivos, la velocidad de agitación y la temperatura de reacción se mantuvieron constantes y el pH de la reacción fue de aproximadamente 8.3. El tiempo de depósito varía con la temperatura. De resultados previos de absorción óptica, se obtiene el ancho de banda prohibida: para CdS a 80°C, E_g = 2.42 eV y para CdCO₃ a 20°C, E_g = 3.87 eV. Por Difracción de Rayos X (DXR) se identifica CdS en fase cúbica a 80°C, con un pico localizado en la posición angular: 2θ = [26.68] y a 20 °C se observan señales en 2θ = [23.36, 30.22, 36.30, 43.8, 49.9] que corresponden al CdCO₃ en fase romboédrica. En el intervalo 40°C<T<60°C, se identifican señales de ambos compuestos. En fotografías obtenidas mediante Microscopia Óptica (MO) se observa la transición gradual de CdS→CdCO₃ con crecimiento de los cristales identificados como CdCO₃. Los precursores de los iones sulfuro (S^2-) y carbonato (CO^-2₃), con base a las reacciones propuestas en este trabajo son, ácido sulfhídrico (H₂S) y ácido carbónico (H₂CO₃), respectivamente. Ambos ácidos provienen de la descomposición hidrolítica de la tiourea. Se considera la solubilidad del CO₂ y H₂S en el intervalo de la temperatura de depósito y la influencia de esta en la reacción, así como del pH.

Palavras-chave : Solubilidad; Películas delgadas; Ion carbonato; Complejo de coordinación.

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