Resumo

MENDIZABAL-RUIZ, Gerardo  e  MARTINEZ-GUERRERO, Esteban. Software de análisis de patrones de RHEED para medición in situ de velocidad de crecimiento y relajación de películas delgadas crecidas por Epitaxia de Haces Moleculares. Superf. vacío [online]. 2006, vol.19, n.2, pp.18-22. ISSN 1665-3521.

El monitoreo de la intensidad del spot reflejado en una secuencia de patrones de RHEED es una de las técnicas mas importantes para el control del de películas delgadas y hetero-estructuras sofisticadas crecidas por MBE. La curva de oscilaciones en la intensidad RHEED es usada para medir in-situ, exacta y rápidamente la velocidad de crecimiento de la película así como establecer la composición de una aleación ternaria. Por otro lado, la medición de variaciones de la constante de red durante un crecimiento hetero-epitaxial, permite determinar el tipo de relajación, lo cual es importante para el control de la calidad estructural de hetero-estructuras. En muchas aplicaciones, la disponibilidad de tal información cuantitativa es de mucha utilidad para un análisis mas exhaustivo de la física de crecimiento y realizar acciones sobre los parámetros de control externos tales como temperatura y sincronización de mecanismos de apertura y cierre de celdas de efusión para un determinado propósito. En este trabajo, presentamos un programa multifuncional de análisis de patrones de difracción de electrones de alta energía en incidencia rasante (RHEED) en ambas modalidades: análisis en tiempo real y post-crecimiento de películas epitaxiales crecidas por epitaxia de haces moleculares (MBE). El propósito principal del programa es la determinación de la curva de oscilaciones de RHEED, sin embargo, también puede determinar el porcentaje de variación de constante de red; realizar un trazo tridimensional del patrón RHEED a través del cual se puede inferir el grado de mosaicidad de la película crecida e identificar la orientación cristalográfica de planos de bajo índice. El programa es capaz de desplegar y guardar resultados en forma gráfica o como datos numéricos. Hemos aplicado nuestro software al estudio de películas epitaxiales de GaAs e InGaAs crecidas por MBE y los resultados reportados abajo indican un gran potencial de esta herramienta para la caracterización de películas delgadas.

Palavras-chave : Software; RHEED; Películas delgadas; Caracterización; MBE.

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