Resumo

HERNANDEZ DE LA LUZ, A. D.; RODRIGUEZ MORENO, M. A.; OLVERA HERNANDEZ, J.  e  HERNANDEZ COCOLETZI, G.. Fuerza de Casimir 1D en semiconductores excitónicos. Superf. vacío [online]. 2006, vol.19, n.2, pp.7-12. ISSN 1665-3521.

Se presentan cálculos de la fuerza de Casimir unidimensional entre placas paralelas semiconductoras excitónicas no locales homogéneas y no homogéneas. Los efectos no locales se generan por las transiciones excitónicas A_n=1 y B_n=1 en CdS. La fuerza se calcula, en el caso homogéneo, como una función de los espesores de las placas d₁ = d₂ = d y del ancho de la región de vacío L entre ellas. Asimismo, para el caso inhomogéneo se consideran placas construidas por superredes semiinfinitas con celda unitaria semiconductor-aislante, siendo la fuerza función del periodo de superred d = d_S + d_A y del ancho de separación L.. La fuerza de Casimir en el caso no local siempre es más grande para el excitón A_n=1, lo cual corresponde a la transición excitónica de menor energía.

Palavras-chave : Fuerza de Casimir; transiciones excitónicas; efectos no locales; superredes.

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