Resumo

FLORES GRACIA, F. et al. Photoluminescence and cathodoluminescence characteristics of SiO₂ and SRO films implanted with Si. Superf. vacío [online]. 2005, vol.18, n.2, pp.7-13. ISSN 1665-3521.

Se obtienen películas de oxido rico en silicio (SRO) por implantación de silicio en dióxido de silicio y por técnicas PE-LPCVD. También las películas PECVD y LPCVD se implantan con silicio para obtener SRO uperenriquecido. Se presentan estudios de Foto y Cátodoluminiscencia (Pl y CL) de estos materiales. Todas las muestras muestran bandas similares relacionadas cpon un exceso de silicio, pero con diferente comportamiento en la intensidad de la señal. Los resultados de PL de las películas LPCVD implantadas con silicio muestran una emisión más intensa que la emisión de las otras pelçículas bajo estudio. La mayor intensidad de luminiscencia está relacionada con un tiempo de aleación óptimo y con un exceso de silicio óptimo, y consecuentemente con tamaño óptimo de los nanocristales.

Palavras-chave : Oxido rico en silicio; Fotoluminiscencia; Nanocristales.

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