Resumo

GONZALEZ-FERNANDEZ, J.V.; DIAZ DE LEON-ZAPATA, R.; LARA-VELAZQUEZ, I.  e  ORTEGA-GALLEGOS, J.. Dispositivo láser semiconductor con puntos cúanticos para emisión en el cercano infrarrojo. Rev. mex. fis. [online]. 2019, vol.65, n.1, pp.43-48.  Epub 09-Nov-2019. ISSN 0035-001X.

En este trabajo se reporta la fabricación de un dispositivo láser de semiconductores III-V de confinamiento separado. La heteroestructura se creció usando la técnica de epitaxia por haces moleculares y se caracterizó óptica, topográfica y eléctricamente por medio de fotoluminiscencia, microscopia de tunelamiento, electroluminiscencia, relaciones de corriente-voltaje y corriente-potencia, respectivamente. El confinamiento electrónico es llevado a cabo por un emparedamiento del área activa con pozos cuánticos de InGaAs con una composición que permite un acople estructural entre el pozo cuántico y los puntos cuánticos autoensamblados de InAs disminuyendo las dislocaciones que darían lugar a una mala calidad del dispositivo. El objetivo es obtener una emision láser en las ventanas de menor absorción de las fibras ópticas situadas en el cercano infrarrojo en las que se basan los sistemas de telecomunicación.

Palavras-chave : Puntos cuánticos; dispositivos semiconductores; epitaxia por haces moleculares; láser; 78.67.Hc; 42.55.Px; 81.15.Hi.

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