Resumen

CASTILLO OJEDA, R.S. et al. Growth and characterization of Cd_1-X Zn_X Te (0 ≤ x ≤ 1) nanolayers grown by isothermal closed space atomic layer deposition on GaSb and GaAs. Rev. mex. fis. [online]. 2018, vol.64, n.3, pp.206-215. ISSN 0035-001X.

En este trabajo se presentan los resultados obtenidos de la deposición de nanocapas de Cd1-X ZnX Te utilizando como precursores los vapores de los elementos Zn, Te, y la combinación de Cd y Zn sobre sustratos de GaAs y GaSb (001) por la técnica de deposición de capas atómicas (ALD), la cual permite la deposición de capas de dimensiones nanométricas. En cada exposición de la superficie de crecimiento a los vapores del precursor, de cationes o de aniones, esta superficie es saturada, por lo tanto, se considera que el proceso es autorregulado. Las capas de ZnTe fueron crecidas en un amplio rango de temperaturas; sin embargo, las nanocapas de ZnTe con una superficie brillante tipo-espejo pudieron ser crecidas a temperaturas entre 370 y 410ºC. Temperaturas superiores a 400ºC fueron necesarias para el crecimiento de CdTe. Las capas de la aleación ternaria Cd1-X ZnX Te fueron depositadas en un rango de temperatura de 400 y 425ºC. Las nanocapas crecidas fueron caracterizadas por espectroscopia Raman y difracción de rayos X de alta resolución. El espectro Raman muestra el pico correspondiente a LO-ZnTe en 208 cm-1, el cual es débil y ligeramente desplazado hacia el rojo en comparación con el reportado para el ZnTe masivo. Para el caso de las nanocapas de CdTe, el espectro Raman presenta el pico LO-CdTe, el cual es indicativo del crecimiento exitoso de las nanocapas, su debilidad y su ligero desplazamiento hacia el rojo en comparación con el reportado para el CdTe masivo puede relacionarse con la característica nanométrica de esta capa. Las mediciones de difracción de rayos X de alta resolución realizadas permitieron estudiar algunas características importantes, como la cristalinidad de las capas crecidas. Además, las mediciones de HR-XRD realizadas sugieren que la calidad cristalina tiene dependencia con la temperatura de crecimiento.

Palabras llave : Sustratos III-V; Aleación ternaria Cd_1-X Zn_X Te; mezcla de elementos Zn, Te y Cd; Deposición de capa atómica (ALD); mecanismo de generación de defectos.

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