Abstract

DIAZ-REYES, J. et al. Characterization of highly doped Ga_0.86 In_0.14As_0.13Sb_0.87 grown by liquid phase epitaxy. Rev. mex. fis. [online]. 2017, vol.63, n.1, pp.55-64. ISSN 0035-001X.

Capas de Ga0.86In0.14As0.13Sb0.87 con coincidencia de parámetros de red a Te-GaSb (100) han sido crecidas mediante la técnica de epitaxia en fase líquida en condiciones de sobre-enfriamiento. Capas tipo n y p fueron crecidas mediante la adición de teluro y zinc en un amplio rango de fracción molar en la solución de crecimiento. Por espectroscopia Raman, se caracterizó la calidad estructural de los epicapas. Los espectros de Raman muestran que las capas se hacen más imperfectas a medida que aumenta la fracción molar de impurificante, tipo-n o -p. Dos bandas principales se observaron en los espectros Raman centradas en 230 y 245 cm-1 que dependen fuertemente de la concentración molar del impurificante (Te o Zn), que son asignados a los modos de vibración observados de GaAs-like y a la mezcla (GaSb + InAs)-like. La fotoluminiscencia a baja temperatura de GaInAsSb tipo-n (o p) se midió como función de la concentración de impurificante añadido a la solución en estado fundido. Los espectros de fotoluminiscencia se interpretaron teniendo en cuenta la no-parabolicidad de la banda de conducción (o de valencia). Tanto el llenado de la banda, así como los efectos de asimetría de la banda debido a la interacción coulombica de portadores libres con impurezas ionizadas y contracción debido a la interacción de intercambio entre portadores libres fueron considerados para tener debidamente en cuenta las características observadas en los espectros de fotoluminiscencia. Se muestra que la energía de transición de banda a banda puede ser usada para estimar la concentración de portadores libres en GaInAsSb para un amplio rango de concentración de impurificante.

Keywords : Semiconductores; GaInAsSb crecimiento epitaxial en fase líquida; espectroscopia de fotoluminiscencia; Raman.

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