Resumen

CERON, S.; HERNANDEZ, J.  y  DOMINGUEZ, M.A.. Caracterización de capacitores MOS basados en peliculas de oxido de hafnio obtenidas a 150°C. Rev. mex. fis. [online]. 2016, vol.62, n.6, pp.600-603. ISSN 0035-001X.

En este trabajo, se describe la fabricación y caracterización de capacitores MOS con óxido de hafnio como dieléctrico obtenido a 150 ∘ C. La obtención de películas delgadas de óxido de hafnio se realizó mediante spin-coating con un tratamiento térmico a 150 ∘ C. Los capacitores MOS fueron caracterizados empleando mediciones de capacitancia vs. voltaje, capacitancia vs. frecuencia y corriente eléctrica vs. voltaje. Los resultados demuestran la viabilidad de la película de óxido de hafnio como dieléctrico en dispositivos electrónicos.

Palabras llave : Óxido de hafnio; capacitor MOS; caracterización eléctrica.

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