Resumen

VASQUEZ-A, M.A.; ROMERO-PAREDES, G.; ANDRACA-ADAME, J.A.  y  PENA-SIERRA, R.. Fabrication and characterization of ZnO: Zn(n⁺)/Porous-Silicon/Si(p) heterojunctions for white light emitting diodes. Rev. mex. fis. [online]. 2016, vol.62, n.1, pp.05-09. ISSN 0035-001X.

Se reportan los resultados de la fabricación y caracterización de heterouniones ZnO:Zn(n⁺)/Silicio Poroso/Si(p). Las películas conductivas de ZnO (ZnO:Zn(n⁺)) se obtuvieron aplicando un breve tratamiento térmico a 400°C por 5 min al arreglo ZnO/Zn/ZnO formado por DC sputtering, y las películas de Silicio Poroso (PS) se obtuvieron por anodizacion electroquímica de obleas de silicio tipo-p con orientacion (100). La preparation de las heterouniones de ZnO:Zn(n⁺)/PS/Si(p) se hizo aplicando el tratamiento termico a la estructura completa de ZnO/Zn/ZnO/PS/Si para conservar las propiedades luminiscentes del PS. Las características de las películas de ZnO:Zn se determinaron por Difraccion de Rayos X y por mediciones electricas con el metodo de Hall-van der Pauw. Las películas de SP y ZnO:Zn(n⁺) se caracterizaron tambien por mediciones de fotoluminiscencia. Las características corriente-voltaje de las heterouniones presentan buen comportamiento rectificante, con voltaje de encendido de 1.5 V y factor de idealidad de 5.4. El factor de idealidad indica que el transporte de carga esta controlado por el mecanismo de corriente tmiel auxiliado por estados de defecto situados en la interface y en la película de PS. Los valores de la corriente de saturation y la resistencia serie fueron de 4 x 10^-7 A/cm² y 16 Ω-cm², respectivamente. Se produce electroluminiscencia observable a simple vista de color blanco, cuando las heteroestructuras se polarizan con una señal pulsada de 8V de amplitud y frecuencia de 1 KHz.

Palabras llave : Silicio poroso; películas de ZnO:Zn(n⁺); heteroestructuras de silicio poroso; caracterización electrica; electroluminiscencia.

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