Resumen

OUBRAM, O.; CISNEROS-VILLALOBOS, L.; GAGGERO-SAGER, L. M.  y  ABATAL, M.. Propiedades de transporte en el transistor δ-FET. Rev. mex. fis. [online]. 2014, vol.60, n.1, pp.22-26. ISSN 0035-001X.

El transporte electrónico en el transistor δ-FET ha sido estudiado en GaAs. Se utiliza un modelo teórico del transporte basado en la estructura electrónica para calcular su movilidad y conductividad. Los resultados muestran que las propiedades eléctricas del δ-FET dependen de los parámetros intrínsecos del dispositivo (la position del pozo delta dopado y la densidad del bulto) y de la magnitud del potencial de contacto. Tales resultados son útiles en aplicaciones con dispositivos insensibles a la temperatura.

Palabras llave : Transporte; movilidad; conductividad; transistor; δ-FET.

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