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Revista mexicana de física

Print version ISSN 0035-001X

Abstract

PACHECO-SANCHEZ, A. et al. Microwave noise sources contributions to SiGe: C/Si and InP/InGaAs HBT's performances. Rev. mex. fis. [online]. 2013, vol.59, n.2, pp.148-152. ISSN 0035-001X.

En este trabajo se describe la cuantificación de las diferentes fuentes de ruido que contribuyen al funcionamiento en ruido del transistor, orientándose particularmente sobre el factor de ruido mínimo (Fmin) y la resistencia de ruido equivalente (Rn), para ello nos basamos en el modelado en pequeña señal de altas frecuencias con ayuda del circuito eléctrico equivalente. El análisis es llevado a cabo para dos transistores bipolares de heterounión (TBH), uno SiGe:C y otro InP/InGaAs. Este estudio es realizado bajo diferentes niveles de polarización y para dos frecuencias de operación. Los resultados muestran que algunos parámetros usualmente despreciados para el análisis de ruido de microondas tienen una contribución no despreciable sobre Fmin y Rn. Esto es un indicador de que es necesario realizar un estudio similar al descrito en este artículo para determinar si una fuente de ruido puede ser despreciada o no. Este procedimiento puede ser aplicado para el desarrollo de modelos de análisis de ruido microondas simplificados y precisos que podrían ser útiles para una gran gama de TBH (III-V and IV-IV).

Keywords : Modelado eléctrico de ruido; resistencia de emisor; ruido de microondas; transistor bipolar de heterounión.

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