Resumo

MOLINA VALDOVINOS, S  e  GUREVICH, Yu. G.. Hall effect: the role of nonequilibrium charge carriers. Rev. mex. fis. [online]. 2011, vol.57, n.4, pp.368-374. ISSN 0035-001X.

Presentamos un nuevo modelo del efecto Hall en el caso de semiconductores bipolares. Se toma en cuenta portadores fuera de equilibrio, procesos de generación y recombinación asistidos por trampas (modelo de Shockley-Read). Se obtienen expresiónes para los potenciales electroquímicos de electrones y huecos, campo de Hall y constante de Hall R_H. Estudiamos la dependencia de estás expresiónes de la distribución de portadores a lo largo de la dirección del campo Hall, en el caso de semiconductores intrínsecos y extrínsecos.

Palavras-chave : Fenómenos galvanomagneticos; semiconductores bipolares; recombinación; efecto Hall.

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