Resumo

BLANCA-ROMERO, A; HERNANDEZ-ALCANTARA, J.M.; OCANA-BRIBIESCA, M.A.  e  RIVAS-SILVA, J.F.. Estudio de la alta correlación electrónica en el ZnO:Eu. Rev. mex. fis. [online]. 2011, vol.57, n.4, pp.338-343. ISSN 0035-001X.

Un material dopado se puede obtener al sustiuir uno de sus átomos por una impureza. En este trabajo se proponen cuatro modelos estructurales que simulan el material ZnO dopado con Eu y se analiza la influencia de la correlación electrónica mediante la densidad de estados (DOS) del sistema. En particular, las impurezas de lantánidos presentan propiedades ópticas y electrónicas peculiares debidas a los electrones en la capa 4f, los cuales generan una resonancia tipo Kondo en el nivel de Fermi.

Palavras-chave : Lantánidos; resonancia Kondo; DFT; correlación electrónica.

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