Abstract

POWER, Ch.; CALDERON, E.; GONZALEZ, J.  and  CHERVIN, J.C. Dependencia con la presión del índice de refracción del AgGaS₂. Rev. mex. fis. [online]. 2011, vol.57, n.1, pp.35-39. ISSN 0035-001X.

En el presente trabajo estudiamos el comportamiento en presión del espectro de absorción (óptica de una muestra monocristalina de AgGaS₂, realizando medidas en el rango de energías del infrarrojo, desde 0.30 hasta 0.70 eV, para presiones P inferiores a 4 GPa y temperatura ambiente T, utilizando para ello una celda de yunques de diamantes en combinación con la técnica de micro-espectroscopia infrarroja [1]. Con este estudio determinamos la variación de su índice de refracción n en función de la presión, en el rango de estabilidad de la estructura calcopirita [2-6], así como la variación en presión de las constantes dielectricas estática (ε₀) y de alta frecuencia (ε_∞). Nuestros resultados del índice de refracción a presión y temperatura ambiente en el AgGaS₂ pueden compararse con los valores experimentales reportados por Boyd et al. [7].

Keywords : Semiconductores I-III-VI₂; infrarrojo; altas presiones.

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