Resumo

MARQUEZ-HERRERA, A. et al. Electrical properties of resistive switches based on Ba_1-xSr_xTiO3 thin films prepared by RF co-sputtering. Rev. mex. fis. [online]. 2010, vol.56, n.5, pp.401-405. ISSN 0035-001X.

En este trabajo, se propone el uso de películas delgadas de Ba_1-xSr_xTiO₃ (0 < x < 1) para la construcción de heteroestructuras metal-aislante-metal (MIM por sus siglas en inglés) y se muestra el gran potencial que poseen para el desarrollo de memorias no volátiles resistivas (ReRAM). El depósito de las películas de Ba_1-xSr_xTiO₃ se hizo mediante de la técnica de rf-sputtering usando dos cañones tipo magnetrón con blancos de BaTiO₃ y SrTiO₃, respectivamente. La composición química de las películas (parámetro x) fue variado a través de la potencia aplicada a cada uno de los blancos. Las heteroestructuras depositadas fueron Al/Ba_1-xSr_xTiO₃/nicromel. Las pruebas I-V de las heteroestructuras mostraron que es posible cambiar su comportamiento eléctrico mediante la variación de la proporción Ba/Sr presente la película de Ba_1-xSr_xTiO₃; la proporción Ba/Sr fue determinada por espectroscopia de energía dispersada. Las micrografías obtenidas mediante un microscopio electrónico de barrido mostraron que las películas son uniformes y no presentan fracturas ni huecos. Por otra parte, la caracterización de las películas por difracción de rayos x mostró la incorporación sustitucional del Sr en la red del BaTiO₃ y la obtención de películas cristalinas para todo el intervalo de valores de x.

Palavras-chave : Titanato de bario y estroncio; películas delgadas; memorias no volátiles; memorias ReRAM.

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