Resumen

NUNEZ-GONZALEZ, Roberto; REYES-SERRATO, Armando; POSADA-AMARILLAS, Alvaro  y  GALVAN, Donald H. First-principles calculation of the band gap of Al_xGa_1-xN and In_xGa_1-x N. Rev. mex. fis. [online]. 2008, vol.54, suppl.2, pp.111-118. ISSN 0035-001X.

En este trabajo se realizaron cálculos de primeros principios de la variación del ancho de banda prohibido en los compuestos ternarios Al_xGa_1-xN e In_xGa_1-x N, utilizando el Método Linealizado de Ondas Planas Aumentadas con Potencial Completo (FLAPW), dentro del marco de la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT). Los nitruros fueron modelados en una estructura tipo wurzita utilizando el método de supercelda, y considerando las concentraciones x = 0, 0.25, 0.50, 0.75 y 1.0. Para la optimización de los parámetros de red se utilizó el potencial de correlación-intercambio PBE96 (Perdew et al., Phys. Rev. Lett. 77 (1996) 3865). Para el cálculo de la estructura de bandas de energía se utilizaron los funcionales PBE96 y EV93 (Engel et al., Phys. Rev. B 47 (1993) 13164). Se consideraron parámetros de red experimentales y calculados (con PBE96) para los cálculos de las propiedades electrónicas. Nuestros cálculos indican que la banda prohibida fundamental es directa en estos compuestos. Los cálculos con el funcional EV93 dan como resultado una mejor estimación de los anchos de las bandas prohibidas de los compuestos binarios. Calculamos el parámetro de curvatura, obteniendo los valores b = 0.74 eV para Al_xGa_1-xN y b = 2.12 eV para In_xGa_1-x N.

Palabras llave : Cálculos Ab-initio; estructura de bandas; parámetro de curvatura; FLAPW; nitruros.

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