Resumen

MANZANARES-MARTINEZ, J  y  RAMOS-MENDIETA, F. One-dimensional photonic crystals with semiconducting constituents: the effects of the absorption mechanisms. Rev. mex. fis. [online]. 2008, vol.54, suppl.2, pp.87-94. ISSN 0035-001X.

En este trabajo presentamos un estudio sobre la Estructura de Bandas Fotónicas y las propiedades ópticas de dos sistemas multicapas distintos, aire/LiTaO3 y aire/InSb, para los cuales la constante dieléctrica del medio semiconductor toma en cuenta las contribuciones fonónicas. Las densidades intrínsecas de electrones y huecos son consideradas para el InSb. Además de las bandas fotónicas prohibidas originadas por la estructura geométrica y contrastes dieléctricos (brechas por difracción) existen bandas fotónicas prohibidas debido a la naturaleza metálica (polaritónica) de los componentes semiconductores. Estas brechas existen en dos regiones de frecuencias, a valores mayores de la frecuencia de resonancia fonónica y para valores menores de frecuencia de plasma efectiva. Hemos encontrado que los mecanismos de absorción dan lugar a puntos de inflexión en algunas bandas los cuales no llegan al límite de la primera zona de Brillouin. Por otra parte, para el caso en que no existe absorción, hemos encontrado una concentración infinita de bandas no dispersivas. Estas bandas están por debajo de la banda prohibida polaritónica. Sin embargo, cuando se considera un sistema realista en donde se incluyen los efectos de absorción del material semiconductor, la dispersión en las bandas da lugar a un número finito de bandas.

Palabras llave : Brecha de banda fotónica; semiconductores; estructura fotónica; polaritones.

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