Resumo

ALVAREZ-MACIAS, C.  e  REYES-BETANZO, C.. Procesos de grabado seco de silicio monocristalino con alta velocidad de grabado y anisotropía para su aplicación en la fabricación de MEMS. Rev. mex. fis. [online]. 2007, vol.53, n.6, pp.488-494. ISSN 0035-001X.

Se presentan los resultados experimentales del grabado seco de silicio monocristalino para su aplicación en la fabricación de sistemas microelectro-mecánicos (MEMS) utilizando un reactor RIE/ICP. Se analizó la contribución de las componentes física y química sobre la velocidad y perfil de grabado respecto a la variación de la presión, bombardeo iónico, flujo, tipo y mezcla de gases, y distancia a la región de plasma denso. El principal gas reactivo empleado fue SF₆ en mezcla con Ar, O₂ o CF₄. Se utilizaron enmascarantes de fotorresina, dióxido de silicio y aluminio. Se obtuvieron velocidades de grabado anisótropo de hasta 4 µm/min con enmascarante de SiO₂y velocidad de grabado isótropo de hasta 13 µm/min con enmascarante de Al, ambos en plasma de SF₆/O₂. Perfiles de grabado verticales se observaron cuando el voltaje de autopolarización es el más alto, y el material enmascarante presentó un fuerte efecto sobre los resultados obtenidos.

Palavras-chave : Silicio monocristalino; MEMS; grabado seco.

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