Resumo

PEREZ-MERCHANCANO, S.T.; BOLIVAR-MARINEZ, L.E.  e  SILVA-VALENCIA, J.. The binding energy of donor impurities in GaAs quantum dots under the pressure effect. Rev. mex. fis. [online]. 2007, vol.53, n.6, pp.470-474. ISSN 0035-001X.

Nosotros presentamos cálculos de la energía de enlace de impurezas hidrogenoides centradas y por fuera del centro en puntos cuánticos de GaAs bajo presión hidrostática. En este cálculo nosotros usamos el método variacional dentro de la aproximación de la masa efectiva. Se encontro que el efecto de la presión es ejercer un confinamiento adicional sobre la impureza dentro del punto cuántico, por lo tanto la energía de enlace aumenta para cualquier valor del radio del punto, sin importar la posición de la impureza. También encontramos que la energía de enlace depende de la posición de la impureza dentro del punto y que los efectos de la presión son menos pronunciados cuando la impureza esta en el borde del punto.

Palavras-chave : Puntos cuánticos; impurezas; presión hidrostática.

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