Resumo

CASTILLO OJEDA, R.; MANRIQUE MORENO, S.; GALVAN ARELLANO, M.  e  PENA-SIERRA, R.. Growth of Al_χGa_1–χ As/GaAs structures for single quantum wells by solid arsenic MOCVD system. Rev. mex. fis. [online]. 2007, vol.53, n.6, pp.441-446. ISSN 0035-001X.

Se presentan los resultados del crecimiento y caracterización de estructuras multicapa de Al_χGa_1–χ As/GaAs utilizando un sistema para depositar películas semiconductoras a base de precursores metalorgánicos y arsénico sólido (MOCVD, de Metalorganic Chemical Vapor Deposition). El sistema MOCVD se adaptó para crecer estructuras semiconductoras con pozos cuánticos. El objetivo central de este trabajo fue explorar la capacidad del sistema MOCVD para realizar estructuras de alta calidad, que incluyan pozos cuánticos. El uso de arsénico metálico para sustituir a la arsina como precursor del grupo V (AsH₃), puede introducir diferencias importantes en el proceso de crecimiento por la ausencia de hidrogeno atómico. Se discuten las principales características eléctricas y ópticas de las películas de GaAs y Al_χGa_1–χ As usadas en la realización de las estructuras multicapa. La evaluación de las películas y de las estructuras se realizó por mediciones de fotoluminiscencia (PL) a baja temperatura, difracción de rayos-X, espectroscopia Raman, espectroscopia de masas de iones secundarios (SIMS) y microscopia de fuerza atómica (AFM).

Palavras-chave : Semiconductores III-V; MOCVD; estructuras con pozos cuánticos; propiedades electrónicas; propiedades ópticas.

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