Resumo

MARQUINA, J; POWER, Ch; QUINTERO, M  e  GONZALEZ, J. Efectos anarmónicos en el semiconductor MnGa₂Se. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, suppl.3, pp. 198-200. ISSN 0035-001X.

En este trabajo presentamos la variación en temperatura de los fonones activos en Raman en monocristales de MnGa₂Se₄ en el rango de 4 a 700 K. Nuestros resultados muestran que esta variación queda completamente descrita si tomamos en cuenta la interacción fonón-fonón y la contribución debida a la dilatación térmica. La contribución predominante en el potencial anarmónico es la cúbica (procesos a tres fonones), la contribución cuártica (procesos a cuatro fonones) es prácticamente despreciable.

Palavras-chave : Semiconductores; anarmonicidad; temperatura; dispersión inelástica de la radiación.