Servicios Personalizados
Revista
Articulo
Indicadores
- Citado por SciELO
- Accesos
Links relacionados
- Similares en SciELO
Compartir
Revista mexicana de física
versión impresa ISSN 0035-001X
Resumen
MARQUINA, J; POWER, Ch; QUINTERO, M y GONZALEZ, J. Efectos anarmónicos en el semiconductor MnGa2Se. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, suppl.3, pp.198-200. ISSN 0035-001X.
En este trabajo presentamos la variación en temperatura de los fonones activos en Raman en monocristales de MnGa2Se4 en el rango de 4 a 700 K. Nuestros resultados muestran que esta variación queda completamente descrita si tomamos en cuenta la interacción fonón-fonón y la contribución debida a la dilatación térmica. La contribución predominante en el potencial anarmónico es la cúbica (procesos a tres fonones), la contribución cuártica (procesos a cuatro fonones) es prácticamente despreciable.
Palabras llave : Semiconductores; anarmonicidad; temperatura; dispersión inelástica de la radiación.