Resumen

SILVA, P; ZAMORA L, C  y  SAGREDO, V. Electron paramagnetic resonance in the CoIn_2-2xCr_2xS₄ semiconductor system. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, suppl.3, pp.150-152. ISSN 0035-001X.

Se reportan medidas de resonancia paramagnética electrónica (RPE) en el "sistema semiconductor" magnéticamente "diluido (SMD)" CoIn_2-2xCr_2xS₄, 0.05 < x < 1. Se encuentra que el campo de resonancia (Hr) oscila alrededor de 410 mT, luego decrece a medida que se baja la temperatura; comportamiento que está de acuerdo con una transición de fase del tipo paramagnetismo-ferromagnetismo. En la muestra x = 0.05, H_R aumenta desde un valor de 400 mT hasta valores muy elevados, al bajar la temperatura. El ancho de línea Δ Hpp, para todas las muestras, aumenta al disminuir la temperatura. Para temperaturas cercanas a la del nitrógeno líquido no se observa señal de RPE. El comportamiento observado por debajo de la temperatura de transición es explicado en términos de la interacción de intercambio entre iones de cromo. El comportamiento ferrimagnético del sistema es el responsable de que la señal sea muy débil a bajas temperaturas.

Palabras llave : Resonancia paramagnética electrónica; semiconductores magnéticamente diluidos; ferrimagnetismo.

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