Resumo

MEDEL DE GANTE, A.T; ACEVES-MIJARES, M  e  CERDEIRA, A. Design of a JFET and radiation PIN detector integrated on a high resistivity silicon substrate using a high temperature process. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, suppl.2, pp.50-53. ISSN 0035-001X.

En este trabajo, se presenta un proceso de fabricación de un JFET con un diodo PIN integrado en una oblea de alta resistividad. Este proceso usa tratamientos térmicos de alta temperatura para mejorar las características del JFET. Usando programas de simulación y herramientas estadísticas, se evalua la contribución de diversos pasos de proceso en las características del JFET fabricado en la misma oblea que un diodo PIN. Este proceso y diseño ofrecen una mejor solución para la integración de JFETs en obleas de silicio de alta resistividad.

Palavras-chave : JFET; PIN; tratamientos térmicos.

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