Resumo

LUNA-LOPEZ, J.A; ACEVES-MIJARES, M; OLEKSANDR, Malik  e  GLAENZER, R. Modelling the C-V characteristics of MOS capacitor on high resistivity silicon substrate for PIN photodetector applications. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, suppl.2, pp.45-47. ISSN 0035-001X.

Este trabajo propone un modelo eléctrico para simular las mediciones C-V del capacitor MOS en silicio de alta resistividad (SAR), el cual es usado como substrato para fotodetectores PIN. Las características C-V del capacitor MOS en SAR difieren considerablemente de las obtenidas en silicio de baja resistividad (SBR) debido a la caída de potencial y tiempo de respuesta de los portadores mayoritarios y minoritarios en el substrato. Las características C-V en substratos de SAR y SBR a diferentes frecuencias fueron modeladas mediante una red de capacitor y resistor en serie, la cual predice los resultados obtenidos experimentalmente.

Palavras-chave : MOS; substratos de silicio de alta y baja resistividad; características C-V en alta y baja frecuencia; tiempo de respuesta de portadores mayoritarios y minoritarios.

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