Resumo

LOPEZ-LOZANO, X.; NOGUEZ, C.  e  MEZA-MONTES, L.. Electronic and optical properties of InAs(110). Rev. mex. fis. [online]. 2005, vol.51, n.2, pp.168-175. ISSN 0035-001X.

Las propiedades (ópticas y electrónicas de la superficie InAs(110) se estudiaron usando el modelo de enlace fuerte y una base extendida tipo atómica. Se discute el carácter de los estados electrónicos asociados a la superficie y se comparan los resultados con otras aproximaciones teóricas y medidas experimentales. Se calculan las propiedades ópticas de la superficie y se analizan en términos del espectro de Reflectancia Anisoptrópica y de los estados electrónicos de superficie y de la estructura atómica.

Palavras-chave : Reconstrucción superficial; estados de superficie; reflectancia anisotrópica; reflectancia diferencial; superficie semiconductora; arsenuro de indio; superficie III-V.

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