Resumen

RODRIGUEZ-VARGAS, I.  y  GAGGERO-SAGER, L.M.. Subband structure comparison between n- and p-type double delta-doped GaAs quantum wells. Rev. mex. fis. [online]. 2004, vol.50, n.6, pp.614-619. ISSN 0035-001X.

Calculamos la estructura de niveles electrónicos (tipo-n), así como la de huecos (tipo-p) de pozos cuánticos δ-dopados dobles (DDD) en GaAs. Se han tomando en cuenta los efectos de intercambio en el estudio. Las aproximaciones de Thomas-Fermi (TF) y Thomas-Fermi-Dirac (TFD) han sido implementadas para describir el doblamiento de la banda de conducción y de valencia respectivamente. El estudio de la estructura de niveles electrónicos y de huecos revela que los efectos de muchos cuerpos son mas importantes en los pozos DDD tipo-p que en los DDD tipo-n. De la misma manera nuestros resultados están en buen acuerdo con los datos experimentales disponibles.

Palabras llave : Pozos δ-dopados; estructura electrónica; efectos de muchos cuerpos.

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