Resumen

BANUELOS, José-Guadalupe; BASIUK, Elena V.  y  SANIGER-BLESA, José-Manuel. Morphology of patterned semiconductor III-V surfaces prepared by spontaneous anisotropic chemical etching. Rev. mex. fis. [online]. 2003, vol.49, n.4, pp.310-316. ISSN 0035-001X.

En el artículo se presenta un estudio por microscopía electrónica de barrido y microscopía de fuerza atómica de diferentes microrrelieves obtenidos por grabado (o ataque) químico anisótropo espontáneo (es decir, sin usar mascarillas ni técnicas fotoquímicas y fotoelectroquímicas) en superficies de semicoductores monocristalinos miembros del grupo de los semiconductores A^IIIB^V: InP(100) dopado por S y Fe, GaP(100), GaSb(100), InSb(100) y GaAs(100). La forma del microrrelieve (canales, estrellas, pirámides, etc.) depende del agente ácido empleado. La estimación de la energía de activación del proceso pone de manifiesto que la formación de microrrelieves ocurre en la región cinética. Los relieves generados en InP con forma de microcanales bidimensionales son de especial interés por su posible aplicación como superficies antirreflejantes en la fabricación de celdas solares. La optimización de las condiciones de grabado en InP permite producir microcanales con periodos espaciales en un intervalo de 0.6 a 3.7 µm. También se discuten las morfologías de otros tipos obtenidos de superficies de semiconductores A^IIIB^V texturizadas.

Palabras llave : AFM; SEM; microrelieves; ataque anisótropo; superficies texturizadas; semiconductores A^IIIB^V.

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