Abstract

VAZQUEZ, G.J. et al. Transition between quasi 2 and 3D behaviour of the binding energy of screened excitons in semiconducting quantum well structures. Rev. mex. fis. [online]. 2003, vol.49, n.2, pp.175-181. ISSN 0035-001X.

Calculamos la energía de amarre de excitones apantallados en un pozo cuántico semiconductor como función del parámetro de apantallamiento y el ancho del pozo usando funciones de onda variacionales para obtener cotas máximas de la energía. La energía de amarre decrece al aumentar los valores del parámetro de apantallamiento y el ancho del pozo. Sin embargo, cuando el ancho del pozo sea suficientemente pequeño para que los electrones y huecos ocupen las sub-bandas de mínima energía, el excitón permanece ligado aun para valores grandes del parámetro de apantallamiento, siempre que el gas de electrones permanezca degenerado.

Keywords : Energía de amarre de excitones apantallados; estructuras de baja dimensionalidad; semiconductores.

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