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Revista mexicana de física

Print version ISSN 0035-001X

Abstract

PEYKOV, P. et al. On the field enhanced carrier generation in MOS structures. Rev. mex. fis. [online]. 2002, vol.48, n.3, pp.235-238. ISSN 0035-001X.

En este trabajo se usaron estructuras MOS (Metal-Oxido-Semiconductor) para investigar sobre el proceso de generación térmica de portadores apoyada por campo eléctrico en silicio. Mediante la técnica C-V (Capacitancia-Voltaje) con barrido de voltaje senoidal, se determinaron los valores del tiempo de vida de generation, Τg, y del factor experimental de Poole-Frenkel, αexp. Usando la técnica DLTS (Deep-Level-Transient-Spectroscopy) se encontró la energía de activación, Ea, de los centros efectivos g-r (generación-recombinación). Un revelado químico sobre la superficie del silicio, mostro la existencia de una densidad promedio de dislocaciones de 5 x 106 cm-2 en todas las obleas usadas. Los resultados obtenidos indican que; cuando a las estructuras MOS se les incluye un proceso de gettering en su fabricación, la generación de portadores es independiente del campo eléctrico. En las muestras sin proceso gettering, la generación de portadores es apoyada por campo eléctrico y se observó una dependencia lineal entre, el factor de PF y la energía de activación de los centros g-r. A medida que se incrementa el valor de α, los centros g-r se sitúan mas cerca de la mitad de la banda prohibida (α se incrementa). Por otro lado, el proceso gettering realizado a las obleas, influye fuertemente sobre los valores de los parámetros Ea, α y Τg medidos de las diferentes estructuras MOS. Suponemos que los valores de esos parámetros dependen del nivel de decoración con impurezas en las dislocaciones.

Keywords : MOS; tiempo de vida; defectos; gettering.

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