Resumen

ROMERO PAREDES R., G.; PENA-SIERRA, R.  y  CASTILLO-CABRERA, G.. Fabricación y caracterización de diodos electro-luminiscentes de silicio poroso. Rev. mex. fis. [online]. 2002, vol.48, n.2, pp.92-99. ISSN 0035-001X.

Se fabricaron diodos electroluminiscentes (DEL's) usando películas delgadas de silicio poroso (SP). Los DEL's están constituidos por una unión metal-semiconductor formada por un contacto de oro y una película de SP con porosidad de 50%. La longitud de onda de emisión de los dispositivos está situada en la región visible del espectro electromagnético. Se reportan los resultados del estudio de la fotoluminiscencia de las películas de SP y las características de la emisión de los DEL's. El máximo del espectro de emisión fotoluminiscente está situado en 800 nm y para la señal de electroluminiscencia está en 560 nm. El origen de la emisión electroluminiscente se asocia a la recombinación radiativa en el óxido de silicio que recubre los filamentos de SP.

Palabras llave : Películas de silicio poroso; diodos electroluminiscentes; fotoluminiscencia.

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