Resumo

URBANO ALTAMIRANO, F.; TITOV, O. Yu.  e  GUREVICH, Yu. G.. Estructura metal-semiconductor-metal en equilibrio. Rev. mex. fis. [online]. 2020, vol.66, n.5, pp.559-567.  Epub 31-Jan-2022. ISSN 0035-001X.  https://doi.org/10.31349/revmexfis.66.559.

En este artículo se analiza el comportamiento de los portadores de carga eléctrica (electrones y huecos) en un material semiconductor con contactos metálicos bajo la condición de equilibrio termodinámico. Se obtuvieron expresiones para las concentraciones de los electrones y huecos, así como para el Radio de Debye (r D ) tanto en el caso general bipolar, como para los casos particulares de materiales tipo n,p e intrínseco. Con base a las expresiones anteriores se analiza el caso cuando aparece el fenómeno de cuasineutralidad en un material semiconductor.

Palavras-chave : Portadores de carga; contacto metal-semiconductor; cuasineutralidad.

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