Resumo

NIETO, J. Alberto; ALEJANDRO RASERO, D.  e  ORTEGA LOPEZ, C.. Adsorción e incorporación de Cu en la superficie GaN(0001). Rev. mex. fis. [online]. 2012, vol.58, n.6, pp.451-458. ISSN 0035-001X.

En este trabajo reportamos cálculos de primeros principios para analizar la adsorción e incorporación de átomos de cobre en la superficie GaN(0001) y en las capas más profundas de un slab de GaN, en una geometría 2 × 2. Se utiliza el método del seudopotencial-ondas planas dentro del marco de la teoría del funcional de la densidad (DFT). En la descripción de la interacción electrón-electrón se emplea la aproximación de gradiente generalizado (GGA). Para estudiar el modelo de adsorción de Cu más favorable consideramos los sitios especiales T1, T4, H3 y Br. Se encuentra que la estructura energéticamente más favorable corresponde al modelo 1Cu-H3, mientras que la adsorción de Cu sobre un átomo de Ga (sitio T1) es totalmente desfavorable. Además, para la incorporación de Cu en las capas más internas del slab estudiado, se encuentra que estas impurezas prefieren los sitios sustitucionales de Ga en las bicapas superiores del slab, indicando que es poco probable una migración de Cu hacia el volumen de GaN. Finalmente se analiza la densidad de estados con y sin ad-átomos de Cu.

Palavras-chave : DFT; método pseudopotencial-ondas planas; adsorción; superficie GaN(0001).

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