Resumo

ROSALES-QUINTERO, P. et al. Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon Heterojunctions. Rev. mex. fis. [online]. 2011, vol.57, n.2, pp.133-139. ISSN 0035-001X.

Heterouniones de a-SiGe:H tipo-n sobre silicio cristalino tipo-p con cuatro diferentes concentraciones pico en la base (l x lO¹⁵, 7 x lO¹⁶, 7 x l0¹⁷ y 5 x lO¹⁸ cm^-3) fueron fabricadas y caracterizadas. Los mecanismos de transporte se determinaron por medio de sus curvas características de corriente vs voltaje en función de la temperatura. El análisis de los resultados muestra que a bajos voltajes de polarización directa (V< 0.45V) en la heterounión con la menor concentración pico la corriente es determinada por la difusión de electrones del a-SiGe:H tipo-n hacia el silicio cristalino tipo-p. Mientras que el multituneleo captura-emisión (MTCE) es el principal mecanismo de transporte en las otras heterouniones. A altos voltajes de polarizacion directa (V> 0.45V) el efecto de corriente limitada por carga espacial (SCLC) es el mecanismo de transporte dominante en todos los dispositivos caracterizados. El incremento en la concentración de dopantes en la base, además, causa un aumento en la corriente inversa.

Palavras-chave : Semiconductores amorfos; heterouniones; mecanismos de transporte; concentración de dopantes en la base.

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