Resumo

CASTANEDA LOPEZ, H et al. Optical properties of Er-doped GaN. Rev. mex. fis. [online]. 2007, vol.53, suppl.1, pp.9-12. ISSN 0035-001X.

Las propiedades ópticas de epicapas de GaN dopadas con Er (erbium) se han investigado usando fotoluminiscencia (FL). Varias dosis de iones de Er se implantaron en epicapas de GaN por implantación de iones. Se observaron líneas claramente visibles de emisión verde debidas a la transición de la capa interna 4f para Er³⁺ del espectro de FL de GaN implantado con Er. El espectro de emisión consiste en dos líneas verdes delgadas a 537 y 558 nm. Las líneas de emisión verdes se identifican como transiciones del Er³⁺ de los niveles 5H11/2 y 4S3/2 al estado base 4I15/2; los picos más fuertes en la muestra de 5 × 1014 cm^-2, junto con la intensidad relativamente más alta de la luminiscencia Er³⁺ en la muestra dopada inferior. Esto implica que aún permanece algún daño en la muestra de 1 × 1015 cm^-2. Las posiciones pico de las líneas de emisión debidas a las transiciones internas 4f para Er³⁺ no cambian con la temperatura creciente. Esto indica que la emisión relacionada con Er³⁺ depende muy poco de la temperatura del ambiente.

Palavras-chave : GaN; implantación; Er; fotoluminiscencia.

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