Resumo

HYUN-WOONG, Chang et al. Fabrication of low temperature poly-Si thin film transistor using field aided lateral crystallization process. Rev. mex. fis. [online]. 2007, vol.53, suppl.1, pp.1-4. ISSN 0035-001X.

Se fabricaron transistores de silicio policristalino de película delgada (TFTs poli-Si) para aplicación LCD en sustrato de vidrio mediante un proceso de cristalización lateral asistida por campo (FALC). La cristalización de silicio amorfo (a-Si) se reforzó significativamente cuando se aplicó un campo eléctrico de 100 V/cm a una película a-Si con deposición selectiva de Ni durante recocido térmico a 500° en ambiente de N2 por 5 horas. El canal de los transistores se cristalizó directamente del lado del electrodo con sesgo negativo. La movilidad del efecto de campo del TFT poli-Si fabricado era de 200.5 cm2/V-s. Por consiguiente, se comprobó la posibilidad de producir TFTs poli-Si de alto rendimiento y baja temperatura (<500°) por medio del proceso Ni-FALC.

Palavras-chave : Cristalización lateral asistido por campo; nanocatalizador de Ni; transistores de película delgada de silicio policristalino; cristalización a baja temperatura.

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