Resumo

PEREZ G, F. V; POWER, Ch; CHERVIN, J.C  e  GONZALEZ, J. Dependencia con la temperatura de los fonones activos en Raman del compuesto TlGaS₂. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, suppl.3, pp.167-169. ISSN 0035-001X.

Se ha estudiado la dependencia isobárica con la temperatura de los fonones activos en Raman del compuesto laminar TlGaS₂, en el rango comprendido entre 26 K y ambiente. Este estudio mostró que para los modos internos del material la contribución anarmónica en el decaimiento de los fonones es mayor que la correspondiente contribución en el caso de los modos externos. Se encontró, además, que la variación de la frecuencia de los modos externos con la temperatura se ve afectada en mayor grado por el cambio de volumen que por la participación anarmónica.

Palavras-chave : Semiconductor; TlGaS₂; temperatura.

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