Resumo

ORDAZ-FLORES, A.; BARTOLO-PEREZ, P.; CASTRO-RODRIGUEZ, R.  e  OLIVA, A.I.. Annealing effects on the mass diffusion of the CdS/ITO interface deposited by chemical bath deposition. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, n.1, pp.15-19. ISSN 0035-001X.

Capas delgadas de sulfuro de cadmio, preparadas por bano químico, fueron depositadas sobre sustratos de ITO (oxido de estaño impurificado con indio) con diferentes tiempos de deposito (i.e. espesor) y caracterizadas en su morfología y en su brecha de energía. Las muestras fueron analizadas tanto recien depositadas como después de ser recocidas a las temperaturas de 90 y 150°C, con el objetivo de estudiar la difusion en la interfaz CdS/ITO y sus efectos sobre las propiedades mencionadas. Con ayuda de los perfiles Auger, se determinaron los valores de la difusividad masica de dicha interfaz. El valor inicial rms de la rugosidad superficial medida usando imágenes de fuerza atómica, así como la brecha de energía, se ven reducidos despues de los procesos de recocido. Se obtuvieron valores muy pequeños en los coeficientes de difusión, del orden de 10^-21 m²/s, para los diferentes elementos analizados en la interfaz.

Palavras-chave : Interfaz CdS/ITO; bano químico; películas delgadas de CdS; substrato ITO; difusion de masa.

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