Resumo

MENDEZ-GARCIA, V.H.. InAs quantum dots grown on GaAs (100) surfaces subjected to novel in-situ treatments. Rev. mex. fis. [online]. 2005, vol.51, n.3, pp.230-235. ISSN 0035-001X.

Novedosos tratamientos fueron realizados in-situ a superficies de GaAs (100) con el propósito de obtener una mayor uniformidad en los tamaños de los puntos cuánticos (QDs) autoensamblados de InAs. Los tratamientos consistieron en exponer las superficies de GaAs a temperatura alta por 10 segundos con el obturador de As₄ cerrado. En un primer experimento la superficie de GaAs únicamente se mantuvo a 650°C sin ningún flujo, mientras que en el otro crecimiento el obturador de Si se abrió durante la interrupción del flujo de As₄. Ambos experimentos se compararon con una muestra crecida convencionalmente. Notables diferencias fueron observadas en la cinética de crecimiento cuando el depósito de InAs se realizó sobre las diferentes superficies tratadas de GaAs. El tratamiento térmico realizado sin flujo de Si extiende a mucho mayor espesor la transición del crecimiento bidimensional a tridimensional de InAs. Por el contrario, la muestra tratada con Si mostró más tempana relajación de red comparada con la muestra de referencia. Respecto a la topología final de las muestras, ambos tratamientos redujeron la dispersión en alturas y diámetros, respecto a la muestra crecida convencionalmente. Por lo tanto, un significativo mejoramiento fue inducido por los tratamientos térmicos en la distribución de tamaños de los QDs, lo cual a su vez redujo el ancho medio (FWHM) de los espectros de fotoluminiscencia (PL). Además, los experimentos de PL mostraron una clara correlación entre el aumento en los tamaños de los puntos y el corrimiento hacia el rojo del pico de emisión que se observó para los QDs crecidos sobre las superficies de GaAs sometidas a los diferentes tratamientos.

Palavras-chave : Nanoestructuras; puntos cuánticos; epitaxia por haces moleculares; materiales semiconductores III-V.

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