Resumo

REYES-BETANZO, C.; MOSHKALYOV, S. A.  e  SWART, J.W.. Grabado anisotrópico de silicio para aplicación en micromaquinado usando plasmas de SF₆/CH₄/O₂/Ar y SF₆/CF₄/O₂/Ar. Rev. mex. fis. [online]. 2004, vol.50, n.2, pp.203-207. ISSN 0035-001X.

Investigamos el grabado iónico reactivo de silicio usando plasmas con mezclas de gases que contienen flúor SF₆/CH₄(CF₄)/O₂/Ar para su aplicación en microsistemas electromecánicos. Examinamos la velocidad de grabado y la anisotropía del perfil en función de la composición del gas, del material del electrodo y de la potencia de radio frecuencia. La profundidad de grabado se determina usando un perfilómetro y los perfiles grabados se analizan mediante un microscopio electrónico de barrido. Como material enmascarante, usamos una película de aluminio depositada por evaporación. Obtuvimos una alta anisotropía de grabado de 0.95 con profundidades de 20 a 30 micras y velocidades de grabado de aproximadamente 0.3 a 0.66 μm/min. El grabado altamente anisótropo se basa en un mecanismo que aumenta el bombardeo de iones y protege las paredes por polimerización y/u oxidación para evitar el grabado lateral. Sin embargo, bajo condiciones de grabado anisótropo se observaron considerables daños en las superficies grabadas (formación de rugosidad). Para mejorar la morfología de la superficie realizamos procesos húmedos y secos de limpieza para remover los residuos superficiales producto del grabado iónico reactivo.

Palavras-chave : MEMS; silicio; grabado profundo; plasma; anisotropía.

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