Resumo

OBREGON, O.; LUNA-LOPEZ, J. A.; ROSALES, P.  e  DOMINGUEZ, M. A.. Transistores de película delgada basados en óxido de Zinc por spray pyrolysis ultrasónico de alta frecuencia a baja temperatura. Rev. mex. fis. [online]. 2021, vol.67, n.4, e041004.  Epub 14-Mar-2022. ISSN 0035-001X.  https://doi.org/10.31349/revmexfis.67.041003.

En este artículo, se reporta la fabricación de transistores de película delgada con óxido de zinc (ZnO TFTs) sobre sustratos de plástico por spray pyrolysis ultrasónico de alta frecuencia a baja temperatura. La máxima temperatura de fabricación fue de 200o C. Spin-on glass fue usado como dieléctrico de compuerta. El tereftalato de polietileno (PET) es usado como sustrato de plástico. Los ZnO TFTs exhiben una movilidad de electrones de 1.25 cm2/Vs y un voltaje de umbral de 10.5 V, mientras la relación de corriente on/off fue de 104. Adicionalmente, la densidad de trampas en la capa activa y en la interfaz dieléctrico/semiconductor es calculada. Además, capacitores metal-dieléctrico-metal fueron fabricados sobre plástico y caracterizados para evaluar el desempeño del dieléctrico de compuerta.

Palavras-chave : Transistores de película delgada; óxido de Zinc; spray pyrolysis ultrasónico; spin-on glass; electrónica flexible.

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