Resumo

SOLACHE-CARRANCO, H.; JUAREZ-DIAZ, G.; MARTINEZ-JUAREZ, J.  e  PENA-SIERRA, R.. Estudio de la cristalización de Cu₂O y su caracterización por difracción de rayos X, espectroscópica Raman y fotoluminiscencia. Rev. mex. fis. [online]. 2009, vol.55, n.5, pp.393-398. ISSN 0035-001X.

Se reportan los resultados de la cristalización de óxido cuproso (Cu₂O) por el método de cristalización secundaria de sustratos de óxido de cobre policristalino en atmósfera de aire seco. El método consiste de dos etapas; en la primera se oxidan placas de cobre policristalino a 1020°C por algunas horas acorde con su espesor, en la segunda se promueve el crecimiento de los cristalitos por recocido térmico a temperaturas de ~1100°C por varias decenas de horas. Se estudió la cinética de crecimiento de los cristales, y las muestras de Cu₂O se caracterizaron por difracción de rayos-X (DRX), espectroscópica Raman y fotoluminiscencia (FL) en función de las condiciones de cristalización. Los resultados de la caracterización por Raman y DRX indican que en las muestras sólo existe la fase Cu₂O. Las mediciones de FL para el intervalo de temperaturas de 10 a 180K permitieron identificar las principales vías de recombinación radiativa. Además de la transicion excitónica X° en 610 nm se detectaron tres bandas en 720, 810 y 920 nm generadas por recombinación de excitones ligados en vacancias de cobre y oxígeno. Las transiciones generadas por recombinación de excitones ligados a vacancias se modifican de acuerdo a la duración del proceso de cristalización.

Palavras-chave : Cu₂O; cristalización; óxidos semiconductores; difracción de rayos X; espectroscópica Raman; fotoluminiscencia.

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