Resumen

GONZALEZ-ALCUDIA, M.; ZAPATA-TORRES, M.; MELENDEZ-LIRA, M.  y  PENA, J.L.. Crecimiento de películas de CdTe:Al. Rev. mex. fis. [online]. 2006, vol.52, n.1, pp.48-52. ISSN 0035-001X.

Se crecieron películas del compuesto ternario CdTe:Al utilizando la tecnica transporte de vapor en espacio reducido combinado con evaporacion libre (CSVT-FE, por su siglas en inglés). La evaporación del aluminio (Al) se realizó a partir de dos tipos de fuente; una construida de grafito y la otra de tantalio. Las películas fueron crecidas sobre substratos de vidrio Corning. Con el objetivo de lograr diferentes concentraciones de aluminio se vario la temperatura de la fuente del Al, manteniendo fijas las temperaturas de la fuente de CdTe y la del substrato. Las películas fueron caracterizadas utilizando difraccion de rayos-X, análisis por dispersión de energía de rayos-X (EDAX, por su siglas en ingles) y transmisión óptica. Los resultados mostraron que en las películas crecidas con la fuente de grafito para la evaporacion del Al, éste no se incorporo en la matriz, al menos al nivel de sensibilidad de la técnica de cuantificación de EDAX; se mantuvo siempre la misma estructura cristalografica y el ancho de energía prohibida del CdTe. En las muestras crecidas con fuente de tantalio sí se logro incorporar el Al. Los patrones de difraccion de rayos-X mostraron que las películas exhibieron un tipo de estructura cristalina dependiente de la concentracion de aluminio. Las películas mantuvieron la fase cubica hasta una concentración de Al del 2.16% at; para 19.65% at de Al se obtuvo una combinacion de fases; para concentraciones mayores a 21 % at las películas fueron amorfas. Se estudiaron las muestras que mantuvieron una estructura cubica, encontrándose que el parámetro de red va disminuyendo y el ancho de banda de energía prohibida aumenta conforme se incrementa la concentracion de Al.

Palabras llave : Películas de CdTe:Al; estructura cristalina.

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