Resumen

PEYKOV, P.; DIAZ, T.  y  ACEVES, M.. Analyse of the lateral surface generation in MOS structures. Rev. mex. fis. [online]. 2004, vol.50, n.1, pp.1-5. ISSN 0035-001X.

En mediciones del tiempo de vida de generación usando el método de Zerbst, se determina el tiempo de vida de generación efectivo. De acuerdo con el modelo usado, este parámetro incluye; el tiempo de vida de generación real, la velocidad de generación en la región superficial de la región de carga espacial (scr) lateral y el diámetro de la compuerta. En este trabajo se muestra que no toda el área, sino solo una parte, de la scr superficial lateral permanece completamente desértica de portadores durante la medida. Se propone una corrección al modelo para tomar en cuenta, solo la contribución efectiva de la velocidad de generación en la scr al proceso de generación. Se muestra también, la influencia de esta corrección, sobre el tiempo de vida de generación obtenida por la técnica Zerbst.

Palabras llave : Estructuras MOS; tiempo de vida de generación; velocidad de generación superficial.

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