Resumen

LOPEZ, R. et al. Caracterización estructural y óptica de compósitos ZnO-SiO_x obtenidos por la técnica Cat-CVD. Superf. vacío [online]. 2011, vol.24, n.3, pp.76-80. ISSN 1665-3521.

Se obtuvieron compósitos de óxido de Zinc-óxido de Silicio fuera de estequiometría (ZnO-SiO_x) por la técnica de depósito químico en fase vapor catalítico (Cat-CVD) a una temperatura de depósito de 950 ⁰C. Los experimentos se llevaron a cabo en el rango de 800-1100 ⁰C. Del análisis por difracción de rayos-X (XRD) y espectroscopia infrarroja por transformada de Fourier (FTIR), se encontró que a 800 ⁰C se obtiene la fase de ZnO pura. Se observó que con el incremento de la temperatura de depósito, la estructura del material comienza a ser dominada por el SiO_x hasta que solo se obtiene esta fase a 1100 ⁰C. Sin embargo, se encontró que a 950 ⁰C se obtiene el compósito de ZnO-SiO_x. El cambio gradual de fase se asoció a la re-evaporación de Zinc (Zn) y al incremento en la movilidad superficial de los átomos de silicio (Si) al aumentar la temperatura. Los espectros de fotoluminiscencia (FL) muestran dos bandas de emisión: una desde 450 hasta 700 nm, y otra banda amplia de 600 a 1100 nm aproximadamente. Estas emisiones son relacionadas generalmente con transiciones radiativas debidas a la presencia de vacancias de oxígeno (V_o) en el ZnO y nanocristales de Si en el SiO_x.

Palabras llave : Compósitos; ZnO-SiO_x; Cat-CVD; Fotoluminiscencia; XRD.

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