Calidad cristalina del ZnSe obtenido por transporte químico con I₂ como portador gaseoso

 

A.B. Trigubó¹*, M.C. Di Stefano¹, R. D'Elía², H. Cánepa², E. Heredia², M.H. Aguirre³

 

¹ FRBA-UTN, Medrano 951, (1179) Cd Aut. de Buenos Aires, Argentina

² CINSO-CITEFA, Juan Bautista de La Salle 4397, (1603) Villa Martelli, Pcia de Buenos Aires, Argentina

³ Dpto de Quím Inorg, Fac de Cs Quím, Univ Complutense, (28040) Madrid, España.

 

Recibido: 15 de febrero de 2007.
Aceptado: 23 de agosto de 2007.

 

Resumen

Se estudió la presencia de dislocaciones en ZnSe monocristalino obtenido por transporte químico utilizando I₂ como portador gaseoso. Para ello se utilizó microscopía electrónica de transmisión que evidenció, en el rango micrométrico y nanométrico, ausencia de defectos, por lo que fue necesario estudiar áreas mayores del material mediante revelado químico. La densidad de dislocaciones y la desorientación entre subgranos contiguos en obleas de ZnSe fueron determinadas mediante el uso de distintos reactivos que permiten la obtención de figuras de corrosión. Se presentan y comparan los resultados micrográficos obtenidos con las diferentes soluciones, determinándose las ventajas relativas.

Se midió la transmitancia del ZnSe con un espectrómetro infrarrojo de transmisión resultando comparable a la obtenida para sustratos comerciales utilizados como ventanas. La caracterización realizada permite afirmar que la calidad cristalina del material obtenido es la adecuada para su aplicación en ventanas ópticas.

Palabras claves: ZnSe monocristalino; Semiconductores II-VI; Transporte Químico (I₂); Revelado químico; Microscopía electrónica de barrido y transmisión; Espectrometría infrarroja de transmisión.

 

Abstract

The presence of dislocations was studied in single crystalline ZnSe grown by chemical transport using I₂ as gaseous carrier. The presence of defects was not determined in the micrometric and nanometric range employing transmission electronic microscopy in order to study larger material areas was used chemical etching. Dislocation density and adjacent subgrain misorientation were obtained by chemical etching using different reagents. Micrographic results were shown and compared to determine reagents relative advantages.

The transmittance of ZnSe was measured using a Fourier transform infrared spectrometer. Commercial substrates used as windows have comparable results to our grown material wafers. This characterization proves that the semiconductor crystalline quality is appropriate for optical windows.

Keywords: ZnSe single crystal, II-VI semiconductors; Scanning electron microscopy; Trasmission electron microscopy; Chemical etching; Infrared transmission spectroscopy.

 

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Agradecimientos

Los autores agradecen al Dr. Jorge Codnia del CEILAP-CONICET-CITEFA por los espectros de FTIR realizados y al Profesor Miguel Á. Alario Franco del Dpto de Química Inorgánica de la UCM-España por el uso de los microscopios de transmisión. También a las Instituciones CONICET y FRBA-UTN por los subsidios otorgados (respectivamente PIP 5468-05 y 25/C080) que nos permitieron efectuar las tareas necesarias para llevar adelante este proyecto.

 

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