Resumen

TRIGUBO, A.B. et al. Calidad cristalina del ZnSe obtenido por transporte químico con I₂ como portador gaseoso. Superf. vacío [online]. 2007, vol.20, n.3, pp.21-25. ISSN 1665-3521.

Se estudió la presencia de dislocaciones en ZnSe monocristalino obtenido por transporte químico utilizando I₂ como portador gaseoso. Para ello se utilizó microscopía electrónica de transmisión que evidenció, en el rango micrométrico y nanométrico, ausencia de defectos, por lo que fue necesario estudiar áreas mayores del material mediante revelado químico. La densidad de dislocaciones y la desorientación entre subgranos contiguos en obleas de ZnSe fueron determinadas mediante el uso de distintos reactivos que permiten la obtención de figuras de corrosión. Se presentan y comparan los resultados micrográficos obtenidos con las diferentes soluciones, determinándose las ventajas relativas. Se midió la transmitancia del ZnSe con un espectrómetro infrarrojo de transmisión resultando comparable a la obtenida para sustratos comerciales utilizados como ventanas. La caracterización realizada permite afirmar que la calidad cristalina del material obtenido es la adecuada para su aplicación en ventanas ópticas.

Palabras llave : ZnSe monocristalino; Semiconductores II-VI; Transporte Químico (I₂); Revelado químico; Microscopía electrónica de barrido y transmisión; Espectrometría infrarroja de transmisión.

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