Resumen

BECERRIL, M.; SILVA-LOPEZ, H.; GUILLEN-CERVANTES, A.  y  ZELAYA-ANGEL, O.. Aluminum-doped ZnO polycrystalline films prepared by co-sputtering of a ZnO-Al target. Rev. mex. fis. [online]. 2014, vol.60, n.1, pp.27-31. ISSN 0035-001X.

Películas delgadas policristalinas de óxido de zinc impurificadas con aluminio fueron crecidas en substratos de vidrio Corning 7059 a temperatura ambiente por Co-erosión catódica a partir de un blanco de ZnO-Al. El diseño del blanco fue el siguiente: Aluminio de alta pureza fue evaporado sobre el blanco de ZnO cubriendo pequeñas áreas. Las propiedades estructurales, ópticas y eléctricas se analizaron en función del contenido de A1. Las películas policristalinas de ZnO impurificadas con A1 presentan una conductividad tipo n. Se encontró que la resistividad eléctrica de las películas disminuye y la concentración de portadores aumenta, como resultado de la incorporación de A1 dentro de la matriz de ZnO. En ambos casos, los cambios son de varios órdenes de magnitud. Partiendo de estos resultados, se concluye que usando este tipo de blancos de ZnO-A1, se pueden obtener películas policristalinas de ZnO impurificadas con Al con una alta transmitancia y baja resistividad.

Palabras llave : Compuestos II-VI; semiconductores; baja resistividad; películas de ZnO-Al.

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