Resumen

CHIGO ANOTA, Ernesto. Influencia de la geometría y dopaje en las propiedades electrónicas de la hoja SiC. Rev. mex. fis. [online]. 2011, vol.57, n.4, pp.309-314. ISSN 0035-001X.

Se analiza el efecto de la geometría en las propiedades electrónicas de la hoja de carburo de silicio (SiC) usando para ello la Teoría del Funcional de la Densidad a nivel de la Aproximación de la Densidad Local (LDA), usamos un modelo de cúmulo rectangular (Si₁₂C₁₂H₁₂) y triangular (Si₁₂C₁₂H₁₀) para representar a la hoja con extremo tipo arcmchair y zig-zag, respectivamente. La estabilidad estructural se logra obteniendo frecuencias de vibración positivas, indicando los resultados que los dos modelos son estables con comportamiento electrónico en el rango de semiconductores (2.75 eV para la triangular y 1.15 eV para la rectangular) y con polaridad baja (12x 10^-3 Debye) para el caso triangular y para el arreglo rectangular presenta alta polaridad (5271.7x 10^-3 Debye). Por otro lado, cuando dicha hoja rectangular es dopada con un átomo de nitrógeno presenta estabilidad estructural (cuando se sustituye un C por un N), además presenta una transición semiconductor-semimetal y alta polaridad (6328.7x 10^-3 Debye) análoga con la hoja sin dopaje.

Palabras llave : Carburo de silicio; extremo zig-zag; extremo armchair; teoría DFT.

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